بررسی اثرات کوچک سازی اندازه جزیره در ترانزیستور تک الکترونی

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 206

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

PENPP02_032

تاریخ نمایه سازی: 16 مهر 1403

چکیده مقاله:

دراین مقاله، ما ترانزیستورتک الکترونی SET مبتنی بر جزایر از جنس نقطه ی کوانتومی QD نیمه هادی ( سیلیکونی) را برای عملکرد در دمای اتاق مدلسازی می کنیم و نشان دهیم که کوچک شدن اندازه جزیره (کوچک تر از ۱۰ نانومتر) در ترانزیستور تک الکترونی SET باعث می شود که این نانو ترانزیستور قابلیت استفاده در دمای اتاق را داشته باشد. بنابراین کوچک شدن اندازه جزیره نتایجی از قبیل گسسته شدن سطوح انرژی QD با سطوح انرژی گسسته و همچنین اثر کوپل شدن QD به کنتاکت های فلزی که سبب پهن شدگی سطوح انرژی می شود را در پی خواهد داشت که ما اثرات این دو پیامد را بر عملکرد SET مورد بررسی قرار خواهیم داد. تشکیل شده است. سختار شیارهای گرافنی با طراحی خاص تاثیر زیادی روی مشخصه جذب (قله و طول موج جذب) داشته است. از لایه آلومینیوم برای جلوگیری ازانتقال نور بین لایه ها و بهبود فاکتور جذب استفاده شده است.برای ارتقا قابلیت ساختار آثار پارامترهای مربوط به طراحی (ابعد طراحی) و پتانسیل شیمیایی (فرمول در متن اصلی مقاله) بر روی قله جذب بررسی شده است. از چهار ساختار با لایه ها و جهت های مختلف قرارگیری شیار چهار محدوده طول موجی متفاوت حاصل شده است. ساختار ۱:۴۵ تا ۶۰ میکرومتر ساختار ۲: ۵۰ تا ۷۰ میکرومتر، ساختار ۳: ۷۰ تا ۸۵ میکرومتر و ساختار ۴: ۸۰ تا ۱۰۰ میکرومتر، ساختارهای پیشنهادی می توانند در جذب کننده ا با طول موج ها (و فرکانس های) متفاوت و قابل تنظیم کاربرد داشته باشند.

نویسندگان

محمد میرعلائی

استاد دانشگاه فنی و حرفه ای امام خامنه ای بوشهر

مصطفی میرعلائی

دکتری مهندسی الکترونیک گرایش نانو