مطالعه ی خواص الکتریکی تک بلور InSb

سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 105

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JEMI-13-2_005

تاریخ نمایه سازی: 15 مهر 1403

چکیده مقاله:

این پژوهش تعیین سازوکار پراکندگی در دو نوع نیمه رسانای تک بلور بلوری InSb از نوع n و p است. برای این منظور، هم زمان تغییرات ثابت هال، هدایت الکتریکی و ضریب پویایی پذیری در گستره ی دمایی K ۷۷ تا K ۳۶۰ و اثر هال با شدت میدان مغناطیسی ۷۹۰۰ گوس اندازه گیری و با نتایج تئوری مقایسه شده است. همچنین، دمای دبای و سازوکار پراکندگی از روی منحنی تغییرات ضریب پویایی پذیری از نظر دما، تعیین انرژی نوار ممنوعه و دمای هم پوشانی از روی منحنی تغییرات هدایت الکتریکی، تعیین چگالی ذرات باردار و با مشخص کردن نوع حامل های بار از روی تغییرات ثابت هال از نظر دما تعیین شده است. از روی منحنی تغییرات ضریب پویایی پذیری از نظر دما، سازوکار پراکندگی مشخص شده است. در این آزمایش، برای نمونه ی n، پراکندگی به وسیله ی مد اپتیکی در دماهای بالا و ناخالصی در دماهای پایین انجام شده است. در نمونه ی p، پراکندگی ازطریق مد آکوستیکی انجام شده و در هر دو نمونه ضریب پویایی پذیری به صورت نظری محاسبه شده که با مقادیر تجربی توافق خوبی داشته است.

نویسندگان

شاهین آتشبار تهرانی

استادیار، گروه فیزیک، دانشکده ی علوم و فناوری نانو و زیست، دانشگاه خلیج فارس، بوشهر، ایران

نادر مرشدیان

استادیار، پژوهشکده ی پلاسما و گداخت هسته ای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Alberga, G. E., Van Welzenis, R. G., & De Zeeuw, ...
  • Baca, A. G., Ren, F., Zolper, J. C., Briggs, R. ...
  • Biernat, H., & Kriechbaum, M. (۱۹۷۶). Anomalous Hall effect of ...
  • Brooks, H. (۱۹۵۵). Theory of the electrical properties of germanium ...
  • Erginsoy, C. (۱۹۵۰). Neutral impurity scattering in semiconductors. Physical Review, ...
  • Howarth, D. J., & Sondheimer, E. H. (۱۹۵۳). The theory ...
  • Hrostowski, H. J., Morin, F. J., Geballe, T. H., & ...
  • InSb Basic parameter in ۳۰۰K https://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InSb/basic.htm ...
  • Kobaidze, R., Khutsishvili, E., & Kekelidze, N. (۲۰۱۸). Numerical computation ...
  • Molodyan, I. P., Nasledov, D. N., Radautsan, S. I., & ...
  • Morisaki, H. (۱۹۷۰). Measurement of Hall effect in InSb by ...
  • Peard, N., Callahan, D., Perkinson, J. C., Du, Q., Patel, ...
  • Rowe, D. M., & Bunce, R. W. (۱۹۷۱). Apparatus for ...
  • Shockley, W., & Bardeen, J. (۱۹۵۰). Energy bands and mobilities ...
  • Sladek, R. J. (۱۹۵۷). Effective masses of electrons in indium ...
  • Slutsky, L. J., & Garland, C. W. (۱۹۵۹). Elastic constants ...
  • Sugiyama, Y., & Kataoka, S. (۱۹۸۵). S/N study of micro-Hall ...
  • Tanenbaum, M., & Maita, J. P. (۱۹۵۳). Hall effect and ...
  • Tukioka, K. T. K. (۱۹۹۱). The determination of the deformation ...
  • Wang, Y., Zhang, D. H., & Liu, W. (۲۰۰۸). The ...
  • Wang, Z., Sun, F., Liu, J., Tian, Y., Zhang, Z., ...
  • نمایش کامل مراجع