بهبودبازده سلول خورشیدی فیلم نازک CIGS توسط افزایش میدان لایه جاذب

دراین مقاله یک راه کارجدید برای افزایش بازده سلول خورشیدی CIGS ارایه شده است تمرکز اصلی این روش برکاهش بازترکیب سلول CIGS درفصل مشترک جاذب /اتصال پشتی می باشد چرا که این ناحیه یکی ازعوامل اصلی تلفات دراین دسته سلولها است دراین روش با اضافه کردن یک لایه P+ به انتهای جاذب یک سد حامل درفصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی ایجاد کرده ایم که سبب ایجاد یک میدان اضافی دراتصال پشتی و درنتیجه رانش آنها به سمت اتصال جلویی سلول می شود همچنین با بررسی عملکرد سلول درضخامتی متفاوت لایه های P,P+ ضخامت بهینه این لایه ها برای دستیابی به بیشترین بازده ارایه گردیده است