بهبودبازده سلول خورشیدی فیلم نازک CIGS توسط افزایش میدان لایه جاذب
محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 766
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE21_367
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله یک راه کارجدید برای افزایش بازده سلول خورشیدی CIGS ارایه شده است تمرکز اصلی این روش برکاهش بازترکیب سلول CIGS درفصل مشترک جاذب /اتصال پشتی می باشد چرا که این ناحیه یکی ازعوامل اصلی تلفات دراین دسته سلولها است دراین روش با اضافه کردن یک لایه P+ به انتهای جاذب یک سد حامل درفصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی ایجاد کرده ایم که سبب ایجاد یک میدان اضافی دراتصال پشتی و درنتیجه رانش آنها به سمت اتصال جلویی سلول می شود همچنین با بررسی عملکرد سلول درضخامتی متفاوت لایه های P,P+ ضخامت بهینه این لایه ها برای دستیابی به بیشترین بازده ارایه گردیده است
کلیدواژه ها:
سلول فیلم نازک CIGS ، اثرلایه P+ برعملکرد سلول CIGS ، افزایش بازده سلول CIGS ، کاهش بازترکیب اتصال پشتی
نویسندگان
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهیدچمران اهواز