بهبود عملکرد ترانزیستور تونل زنی عمودی مبتنی بر ژرمانیوم با به کارگیری GaAs به عنوان کانال

در این مقاله ترانزیستور تونل زنی عمودی مبتنی بر ژرمانیوم بررسی شده است. ویژگی های الکتریکی ترانزیستور در دو حالت استفاده از ژرمانیوم و همچنین استفاده از گالیوم آرسناید به عنوان کانال مقایسه شده و شبیه سازی آن توسط نرم افزار سیلواکو و با استفاده از مدل تونل زنی غیر محلی انجام شده است. نتایج نشان می دهد که جریان روشنایی بیشتر، جریان خاموشی کمتر و جریان دوقطبی درین کمتر در ولتاژ گیت منفی از مزایای استفاده از گالیوم آرسناید به جای ژرمانیوم به عنوان کانال است. در ادامه، پارامترهای کانال تغییر داده شده اند و اثر تغییر آن ها بر روی رفتار ترانزیستور مطالعه شده است. افزایش طول کانال باعث کاهش جریان خاموشی و افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی شده و همچنین باعث کاهش شیب زیرآستانه می شود. از طرف دیگر، افزایش عرض کانال، باعث کاهش نسبت جریان روشنایی به خاموشی و افزایش شیب زیرآستانه می شود. نسبت جریان روشنایی به خاموشی با افزایش طول کانال و کاهش عرض کانال افزایش می یابد و این نسبت می تواند تا ۱۵+۱۰×۱/۵ افزایش پیدا کند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور عمودی ، تونل زنی ، سیلواکو ، ژرمانیوم ، گالیوم آرسناید ، جریان روشنایی