طراحی ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگن با فناوری silicon-on-nothing برای بهبود مشخصات DC
محل انتشار: فصلنامه مدل سازی در مهندسی، دوره: 22، شماره: 76
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 78
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JME-22-76_004
تاریخ نمایه سازی: 17 شهریور 1403
چکیده مقاله:
در این مقاله، ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگن همراه شده با تکنولوژی silicon-on-nothing (SON HS-JLTFET) پیشنهاد می شود. ترانزیستور پیشنهادی در مقایسه با ترانزیستور تونلزنی بدون پیوند مرسوم دو مزیت دارد. اولین مزیت، یک دهه افزایش در جریان روشنی و بهبود ۱۰ درصدی نوسانات زیر آستانه است که بخاطر استفاده از InAs در ناحیه ی سورس می باشد. InAs به دلیل انرژی شکاف باند کمتری که نسبت به Si دارد سبب پهنای سد تونل زنی کمتر در پیوند سورس/کانال می شود. لذا الکترون های بیشتری از سورس به کانال تونل زنی می کنند.در نتیجه سبب افزایش نرخ تونل زنی و بهبود در جریان روشنی و نوسان زیر آستانه می شود. مزیت دیگر شامل کاهش جریان ambipolar به کمک تکنیک SON است. در واقع، air به دلیل ثابت دی الکتریک کمتری که نسبت به اکسید SiO۲ دارد میدان الکتریکی را در پیوند درین/کانال کاهش می دهد.میدان کاهش یافته سبب پهنای سد بزرگتری می شود. لذا جریان ambipolar را کاهش می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امین ونک
دانشجوی دکتری دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی تهران غرب
امیر امینی
دانشیار دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی تهران غرب
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
