تحلیل و شبیه سازی پیوند شاتکی با روش مونت کارلو

در این مقاله به شبیه سازی پیوند شاتکی Al/n-GaAs با استفاده از یک مدل دو درهای مونت کارلو می پردازیم. در این مدل، باندهای انرژی را غیر سهموی و دره های الکترونی را Γ و L در نظر می گیریم. سازوکارهای پراکندگی الکترونها را ناشی از ناخالصی، فونون نوری و فونون آکوستیکی فرض می کنیم. شبیه سازی را در محیط MATLAB انجام می دهیم. برای عبور الکترونها از سد شاتکی سازوکارهای گسیل گرمایونی و تونلزنی را در نظر می گیریم. برای سنجش درستی مدل ارائه شده، نتایج بدست آمده از آن را با داده های معتبر دیگران مقایسه می کنیم. در ادامه علاوه بر توزیع پتانسیل و میدان الکتریکی در پیوند شاتکی، توزیع مکانی الکترونها و سهم سازوکارهای پراکندگی مختلف را نیز ارائه می دهیم. این تصویر میکروسکوپی یکی از ویژگیهای برجسته مدل مونتکارلو است که مدلهای عددی دیگر قادر به ارائه آن نیستند.

کلیدواژه ها:

پیوند شاتکی ، گسیل گرمایونی ، تونل زنی ، پراکنذگی الکترون ، مدل مونتکارلو