بررسی خواص ساختاری و الکترونیکی ماده ناهمگون دوبعدی In۲Se۳ و Sb۲Se۲Te

در این مطالعه ، خواص ساختاری، مکانیکی ، الکترونیکی و اسپینی ماده ناهمگون۱ متشکل از تک لایه های Sb۲Se۲Te و In۲Se۳ با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی گردیده است . تک لایه های In۲Se۳ و Sb۲Se۲Te با دو ساختار AA و AB روی یکدیگر قرار گرفته اند که شبیه سازی این دو حالت از ماده نشان می دهد که شکاف انرژی در ساختار AA مستقیم و در ساختار AB غیرمستقیم است . با توجه به سطح انرژی پایین تر در ساختار AB، انتظار می رود این ساختار نسبت به ساختار AA پایدارتر باشد. این ماده ناهمگون یک ماده دو بعدی پایدار (۲DMs) در دمای اتاق است . مهم تر آنکه ، وجود میدان الکتریکی داخلی منجر به شکافتن اسپین راشبا در لبه باند هدایت در نقطه می گردید. این حالت های راشبا در باند هدایت به بهرهگیری از این ماده در فناوریهای نوین کمک می کند. اثر راشبا نویدبخش پیشرفت های گسترده در کاربردهای اسپینترونیک با استفاده از مواد دوبعدی است .

کلیدواژه ها:

مواد دوبعدی ، ساختار ناهمگون ، نظریه تابع چگالی ، خواص الکترونیکی ، اثر راشبا