بررسی حاشیه نویز استاتیکی و دینامیکی در ضرب کننده و جمع کننده یک تریتی مبتنی برترانزیستورهایی با ساختارنانو لوله های کربنی

با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه هادی سیلیکونی و مدارات مجتمع دیجیتال تا میزان محدوده نانومتر صنعت نیمه هادی با چالشهایی روبرو خواهد بود. ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی CNTFT به دلیل ابعاد بسیار کم سرعت بالا و مصرف کم توان و همچنین به خاطر مشابه بودن عملکردشان با CMOS توجه طراحان مدارهای منطقی و سیستم دیجیتالی را جلب کرده اند استفاده از منطق چند ارزشی (MVL) به دلیل کاهش عملیات ریاضی موجب کاهش سطح تراشه و کاهش توان مصرفی در مقایسه با منطق دو ارزشی میشود در این مقاله یک طراحی جدید از نحوه محاسبه حاشیه نویز استاتیکی و دینامیکی در جمع کننده و ضرب کننده یک تریتی با منطق سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ارائه شده است . در نهایت یک مقایسه از لحاظ توان و عملکرد این مدارات سه ارزشی CNTFET در برابر سایر محاسبات و مقایسه صورت پذیرفته است . در ادامه نتایج شبیه سازی که با بهره گیری از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی ۳۲ نانومتر به دست آمده ارائه گردیده است . نرم افزار MATLAB با ایجاد لینک ارتباطی توانسته است در محاسبه حاشیه نویز نتایج دقیق تری نسبت به سایر روش های تقریبی با خطای ۰۱,۰ درصد در اختیار ما قرار دهد .

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، حاشیه نویز استاتیکی ، حاشیه نویز دینامیکی ، ضرب کننده ، جمع کننده منطق چند ارزشی ، منطق سه ارزشی نانولوله کربنی