اثر برهمکنش الکترون- فونون بر ضریب عبور فونونی یک نانوساختار اتمی

در این مقاله، ضریب عبور فونونی یک زنجیره اتمی بی­نهایت که در قسمت کوچکی از آن برهمکنش الکترون-فونون وجود دارد، مورد بررسی قرار می­گیرد. از دیدگاه الکترونی، سامانه در رهیافت تنگابست و در تقریب نزدیک­ترین همسایه ­و برای فونون­ها در قسمت برهمکنشی تا همسایه دوم در تقریب هماهنگ مد نظر است. در مدل پیشنهادی، فرض می­شود که تغییرات ابر الکترونی مربوط به اربیتال­های اتمی جایگزیده، باعث تغییر در ثابت نیروی بین اتم­های مجاور قسمت برهمکنشی زنجیره می­شود که به نوبه خود باعث تغییر عناصر ماتریس دینامیکی سامانه شده و در نتیجه ضریب عبور فونونی دستخوش تغییر می­شود. بنابراین فرمول­بندی حاضر، ضریب عبور فونونی را به صورت تابعی از پارامترهای الکترونی و فونونی سامانه و همچنین قدرت برهمکنش الکترون-فونون ارائه می­کند. در پایان سعی شده است که با ارائه برخی نتایج عددی، به فیزیک مسئله نیز پرداخته شود.

کلیدواژه ها:

ترابرد فونونی ، تابع گرین ، تقریب هماهنگ ، برهمکنش الکترون-فونون ، تنگابست