مقایسه کاربردهای فضایی سلول های خورشیدی دارای بازده بالای چند اتصالی و سیلیکون ی
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,268
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICREDG03_078
تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1392
چکیده مقاله:
این مقاله سلول های خورشیدی 3 تا 5 اتصالی دارای بازدهی بالا را که از لحاظ تجاری در دسترس هستند با سلو لهای پیشرفته سیلیکونی ( (Si بازده بالا در سطوح پنل و سلول فاقد پوشش مقایسه می کند. فناوری هایسلول های خورشیدی در این مقایسه، Si با ضخامت 3 میلی متر و مقاوم در برابر تابش( rad-hard 3-mil )، سلول خورشیدی 2 اتصالی InGaP/GaAs (بر روی Ge ) و سلول خورشیدی 3 اتصالی InGaP/GaAs/Ge خواهند بود که بازدهی beginning-of-life) BOL ) آنها به ترتیب برابر با 17 %، 23 % و 26 % می باشد. دو مدار نمونه متفاوت در نظر گرفته م یشود: مدار geosyncronous) GEO ) و مدارlow-earth) LEO ). شرایط end-of-life) EOL ) برای GEO و LEO یکسان در نظر گرفته شده است. پارامترهای بحرانی آرایه های خورشیدی از قبیل نسبتتوان به جرم ( W/Kg )، نسبت جرم به فضا ( Kg/m2 )، نسبت توان به فضا ( (W/m2 و هزینه EOL نرمال شده ( W/$) برای این فناور یها مقایسه خواهد شد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی یوسفی
دانشگاه علم و صنعت ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :