تاثیر نانوذرات بر هدایت الکتریکی نانوسیالات SiC بر پایه آب

در تحقیق حاضر ابتدا نانو ذرات SiC (سیلیکون کربید) به روش سل ژل سنتز شد. سپس ساختار بلوری نانوذرات و میزان حضور فازهاینامطلوب احتمالی با استفاده از پراش پرتو X تعیین شد. نتیجه این شناسایی تهیه فاز خالص مکعبی β–SiC با اندازه میانگین بلورک ها درحد ۵۲nm را نشان داد. پس از تهیه نانوذرات. با پراکنده ساختن آنها در سیال پایه آب. به کمک امواج فراصوت. نانوسیالاتی باکسرحجمی های ۱%، ۲%، ۳%، ۴% و ۵% تهیه و هدایت الکتریکی هر یک در دماهای برگزیده (۱۰، ۲۰، ۳۰، ۴۰، ۵۰ و ۶۰ در جه سانتی -گراد) اندازه گیری شد. نتایج اندازه گیری ها نشان می دهد هدایت الکتریکی نانوسیال بر حسب کسر حجمی و دما بصورت تقریبا خطی باشیب های متفاوت افزایش می یابد. این نتایج به عوامل متعددی از جمله انباشتگی نانوذرات، حرکت براونی و پدیده الکتروفورز نسبت داده می شود.

کلیدواژه ها:

نانوذرات سیلکون کربید ، سل ژل ، نانوسیال سیلیکون کربید/ آب ، هدایت الکتریکی