طراحی الکترود نازک D/M/D بر پایه مواد ZrO۲ و ZnO بر روی بستر پلی کربنات

در این مطالعه. دو ساختار سه لایه ای رسانا با استفاده از نرم افزار Essential Macleod طراحی و شبیه سازی شدند. این ساختارها عبارتند ازZrO۲ ۴۰nm/Ag ۱۰nm/ZrO۲ ۴۰nm و ZnO ۴۰nm/Ag ۱۰nm/ZnO ۴۰nm که بر روی پلی کربنات قرار گرفتند. هدف اصلی از طراحی این ساختارها، بهبود و بهینه سازی ویژگی های تراگسیلی اپتیکی و مقاومت الکتریکی بود. با این طراحیء هدف این بود که همزمان تراگسیلی ایتیکی بالا و مقاومت الکتریکی پایین به دست آید. استفاده از این ساختارها در کاربردهای مختلف اپتوالکترونیکی به طور بهینه امکان پذیر می شود. بهترین نتایج با استفاده از ساختار ZnO ۴۰nm/Ag ۱۰nm/ZnO ۴۰nm به دست آمد. در این حالت، ضخامت لایه های نقره ۱۰ نانومتر و ضخامت لایه های ۴۰ZnO نانومتر بودند. با این تنظیمات ضریب شایستگی برابر با (F(rc)=۰.۰۲۹Ω(-۱ بدست آمد که بیشترین مقدار ممکن است و نشان دهنده بهترین کارایی ساختار است. همچنین، مقاومت الکتریکی سطحی در حدود ۲۷.۴۷Ω/sq و تراگسیلی در ناحیه مرئی برابر با ‎۹۷.۶۲ بدست آمد. با توجه به مقاومت الکتریکی پایین و تراگسیلی بالا،این ساختار را می توان به عنوان الکترود رسانا و شفاف در کاربردهای ایتوالکترونیک استفاده کرد.

کلیدواژه ها:

الکترود ، رسانا ، شفاف ، نازک ، پلی کربنات