خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC۲ در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز

در مقاله پیش رو، به بررسی تاثیر جذب مولکول استالدهید بر خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC۲ با استفاده از نظریه تابعی چگالی پرداخته شده است. به این منظور، پیکربندی های مختلف جذب مولکول بر روی تک لایه مورد بررسی قرار گرفته و پایدارترین ساختار براساس انرژی جذب گزارش شده است. نتایج نشان داد که مولکول استالدهید به صورت فیزیکی با انرژی در حدود ۳۱۰/۰ الکترون ولت بررویSiC۲ جذب می شود. مقایسه ساختار نواری و چگالی حالاتSiC۲ قبل و بعد از جذب مولکول استالدهید نشان داد که گاف انرژی و فاصله تراز فرمی تا نوار هدایت پس از جذب استالدهید به ترتیب ۰/۰۰۸ و ۰/۰۰۶ الکترون ولت افزایش می یابد که می تواند موجب کاهش هدایت الکتریکی تک لایه گردد. بر اساس محاسبات انجام شده از تک لایهSiC۲ می توان به عنوان حسگر گاز استالدهید براساس تغییر هدایت، تغییر گرمای واکنش یا به عنوان سطح جاذب در حسگرهای گاز پیزوالکتریک بهره برد.

کلیدواژه ها:

نظریه تابعی چگالی