بررسی تاثیر درجه بندی شکاف نواری و ضخامت لایه جاذب بر خواص الکتریکی و نوری در سلول های خورشیدی CIGS
محل انتشار: فصلنامه انرژی ایران، دوره: 26، شماره: 3
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 64
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJENERGY-26-3_005
تاریخ نمایه سازی: 10 خرداد 1403
چکیده مقاله:
در این پژوهش، ما به شبیه سازی دقیق سلول های خورشیدی CIGS با استفاده از درجه بندی شکاف نواری band-gap می پردازیم. هدف اصلی ما این است که خواص الکتریکی و نوری این سلول ها را بهبود بخشیم. به منظور بررسی عملکرد، تغییر ضخامت لایه جاذب را نیز به عنوان یک عامل کلیدی مورد ارزیابی قرار می دهیم. به ویژه، ما به تحلیل تاثیر این تغییرات بر راندمان و ضریب پرشدگی سلول ها می پردازیم. در سلول های خورشیدی معمولی CIGS، راندمان حدود ٪۲۰.۸ است که تا به حال دست یافته ایم. اما با بهره گیری از درجه بندی شکاف نواری بر روی لایه جاذب و با بهره گیری از تکنیک های مهندسی در لایه های جاذب و بافر، ما به تحسین برانگیزترین راندمان تا به حال برابر با ٪۳۳.۷ دست یافته ایم. این افزایش نتیجه ی دستاوردهای موفق در بهینه سازی ساختار و خواص سلول ها است. به طور خلاصه، مقادیر پارامترهای مهم خروجی برای این سلول های پیشرفته شامل بازده ٪۳۳.۷، ضریب پرشدگی ٪۷۹، ولتاژ مدار باز ۱ میلی ولت و جریان کوتاه مدار ۴۰.۹۶ میلی آمپر بر سانتی متر مربع می باشد.
کلیدواژه ها:
CIGS solar cells ، band gap grading ، solar cell efficiency ، absorber layer thickness. ، سلول های خورشیدی CIGS ، درجه بندی شکاف نواری ، راندمان سلول های خورشیدی ، ضخامت لایه جاذب .
نویسندگان
رضا کیانی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه
مجید فولادیان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه
محمد جلال رستگار فاطمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :