بررسی خواص ساختاری و اپتیکی ترکیب نیم رسانای کلکوژنیدی Ag۲SiS۳
محل انتشار: دوفصلنامه اپتوالکترونیک، دوره: 6، شماره: 3
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 169
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-6-3_003
تاریخ نمایه سازی: 30 اردیبهشت 1403
چکیده مقاله:
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag۲SiS۳ که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می باشد، پرداخته می شود. در این کار از نظریه تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت ها مقدار گاف نواری را eV ۲/۱،eV ۴/۱ و eV ۳۷/۲ به ترتیب در تقریب LDA، LDA+U و HSE با شبه پتانسیل بار پایسته بدست آمد. همچنین مقدار مدول حجمی نیز بترتیب GPa ۸۱ در LDA و GPa ۴/۷۹ در LDA+U و GPa ۵/۷۶ در HSE به دست آمده است. در نهایت به بررسی خواص اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب ، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی پرداخته شد که از بررسی خواص اپتیکی مقدار گاف اپتیکی که از ضریب جذب به دست می آید با مقدار گاف نواری انطباق خوبی دارد که مقدار ضرایب اپتیکی در راستاهای مختلف به دلیل ناهمسانگرد بودن ساختار، متفاوت است. مقدار گاف اپتیکی که از نمودار ضریب جذب خوانده شد در تقریب LDA، LDA+U و HSE به ترتیب eV ۲۷/۱ ، eV ۴/۱ و eV ۳۷/۲ به دست آمده از بررسی های اپتیکی مشخص گردید این ترکیب دارای قابلیت خوبی برای کاربرد در سلول خورشیدی و مواد اپتوالکترونیک است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم عزیزی
گروه فیزیک، دانشکدە علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران
حمدالله صالحی
استاد، گروه فیزیک، دانشکدە علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران.