تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی

در علوم نانو به ویژه (نانو الکترونیک) برای تولید نانو ترانزیستور و نانو چیپ ها از نانو لوله کربنی به دلیل ویژگی های منحصر به فرد مانند خاصیت کشسانی، رسانایی، استحکام بالا مورد توجه زیادی قرار دارد. روش های تولید این نانو ساختارها به دو دسته کلی روش های مبتنی بر کربن جامد و کربن گازی تقسیم بندی می شود.دو نکته مشترک در روش های تولید نانولوله بر مبنای منبع کربن جامد مانند سایش لیزری، تخلیه قوس الکتریکی و استفاده از محیط دما بالا (بین 0111 تا 0111 کلوین ) و فرسایش گرافیت جامد به عنوان منبع کربن است. علیرغم این مشترکات، مرفولوژی ، ریخت شناسی نانو ساختار کربنی و بازدهی تولید نانو لوله های کربنی با توجه به شرایط تجربی به طور محسوسی متفاوت است. قبل از ظهور نانو لوله های کربنی، فولرین با استفاده از این روش ها تولید شد. تولید نانولوله های کربنی علاوه بر شرایط لازم برای تولید فولرین دمای بالا و غیاب اکسیژن ، مستلزم حضور کاتالیست نیز است.مکانیسم های مختلفی مانند فرآیند جدایش مولکول های کربنی و بازترکیب شدن اتم ها و غیره در این روش-های دما بالا درگیر هستند. سازوکار اصلی این روش ها انتقال انرژی از منبع تابش خارجی یک پرتو لیزر یا تابش منبع خورشیدی به ماده هدف می باشد. این امر منجر به فرسایش ماده هدف و متعاقبا تشکیل پالسما می شود. درجه یونیزاسیون پالسما اهمیت انتقال انرژی بین پالسما و ماده هدف را برجسته می کند. مشخصه پالسما و مخصوصا محدوده دمایی و غلظت گونه های مختلف موجود در پالسما نه تنها به ماهیت و ترکیب ماده هدف بلکه به میزان انرژی انتقال یافته نیز بستگی دارد.

کلیدواژه ها:

نانو ترانزیستورهای اثر میدانی ، نانو ترانزیستورها ، ترانزیستور ، نانو الکترونیک ،