Electronic and Geometry Properties of CuInS2 Semiconductor Nanowire

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,016

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_080

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

We present a first-principles investigation of the atomic and electronic structures of CuInS2 nanowires. We consider nanowires in the [1-10]growthdirection, with diameter ranging from 10 Å. We find thatunsaturated nanowires are semiconducting in the region of the band gap. For the unsaturated wires there is aconsiderable contraction of theCu-In and In-S bonds lengths at the edge of the wires of 3%. We also calculate the band structure and pdos of nanowirs and bulk state of CuInS2.our result show that energy gap increaes 0.5eV for naowire.

نویسندگان

Payman Nayebi

Department of Physics, Saveh branch, Islamic Azad University,Saveh, Iran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • l. _ _ ا _ Phys. 36, 1703, 1997 ...
  • _ _ _ _ Vol. 7, No. 12, 2007 ...
  • T. Maeda, T. Takeichi, Systematic studies on electronic structures of ...
  • Kermanshah Science and Research Branh , Islamic Azad University 1-2No ...
  • نمایش کامل مراجع