مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 774
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_027
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
د راین مقاله طراحی ، مدل سازی و امکان پذیر بودن یک سنسورMEMS برر مننراییک ترانزیستور اثر میدانMOSFET( در حالت گیت مشترک بصورت تقویت کننرده تفاضرلی ارائه شده است.یک جفت ترانزیستورMOSFET مجاور , الکترود گیرت مشرترک را بره اشرتراک می گذارد که در پیکربندی پیچشی بر بخش های گیت ترانزیستور , شناور شده است. چر خش این گیت مشترک , فاصله گذاری نسنی بین راس های گیت و لایه فرعی را تغییرر می دهد وظرفیت ازن گیت هر ترانزیستور را هم تغییر می دهد .اتصال هر جفت ترانزیستور در یرک پیکربندی تفاضلی , یک جریان تفاضلی در طول جفت ترانزیسرتورها تولیرد می کند. اینسنسور تقویت کنندگی و ترانس کنداکتور )تقویت مغناطیسی( را به عنوان یک حرکت از گیتMEMS مجتمع سازی می کند و مقاومت ازن گیت مربوطه و جریان درین هر ترانزیستور رامعادل سازی می کند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :