مدلسازی یک حسگرMEMSاز یک تقویت کنندهMOSFETتفاضلی گیت مشترک

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 703

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_027

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

د راین مقاله طراحی ، مدل سازی و امکان پذیر بودن یک سنسورMEMS برر مننراییک ترانزیستور اثر میدانMOSFET( در حالت گیت مشترک بصورت تقویت کننرده تفاضرلی ارائه شده است.یک جفت ترانزیستورMOSFET مجاور , الکترود گیرت مشرترک را بره اشرتراک می گذارد که در پیکربندی پیچشی بر بخش های گیت ترانزیستور , شناور شده است. چر خش این گیت مشترک , فاصله گذاری نسنی بین راس های گیت و لایه فرعی را تغییرر می دهد وظرفیت ازن گیت هر ترانزیستور را هم تغییر می دهد .اتصال هر جفت ترانزیستور در یرک پیکربندی تفاضلی , یک جریان تفاضلی در طول جفت ترانزیسرتورها تولیرد می کند. اینسنسور تقویت کنندگی و ترانس کنداکتور )تقویت مغناطیسی( را به عنوان یک حرکت از گیتMEMS مجتمع سازی می کند و مقاومت ازن گیت مربوطه و جریان درین هر ترانزیستور رامعادل سازی می کند

نویسندگان

سیدمصطفی بیژنی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر

سیدعلی اکبر هاشمی

موسسه آموزش عالی لیان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • د انشگا ه آ ز ا د اسلامی و ا ...
  • Jiangfeng W, Fodder G and Carley L 2002 A low-noise ...
  • Que L, Li M-H, Chu L L and Gianchandani Y ...
  • Polk B J 2007 ChemFET arrays for chemical sensing microsystems ...
  • Suzuki K, Najaf K and Wise K D 1990 A ...
  • Nathamson H C, Newall W E, Wickstrom R A and ...
  • Nathamson H C and Wickstrom R A 1965 A resonant-rate ...
  • Kuhnel W 1991 Silicon condenser microphone with field effect transistor ...
  • ک [8] Moskowitz N T, Sellami L, Newcomb R W ...
  • Yee Y, Park M, Lee S-H, Lee S, Chun K, ...
  • Kovacs G T A 1998 Micromachined Transducers _ _ _ ...
  • Sze S M 1981 Physics of Semiconducto Devices 2nd edn ...
  • edn (New York: Holt, Rinehart and Winston) ...
  • TiplerP A 1982 Physics (Rochester, MI: Worth ...
  • Sattler R, Plotz F, Fattinger G and Wachutka G 2002 ...
  • Zhang X M, Chau F S, Quan C, Lam Y ...
  • Cichalewski W, Napierlalski A, Camon H and Estibals B Analytical ...
  • 7] _ _ _ torsion microactuator J. M icroelect romech. ...
  • Streetman B G 1980 Soli State Electronic Devices, 2nd (New ...
  • Motchenbachr C D and Fitchen F C 1973 Low Noise ...
  • Xu X, Thundat T G, Brown G M and Ju ...
  • Ji H F and Thundat T 2002 In situ detection ...
  • Cherian S, GuptaR K, Mullin B C and Thundat T ...
  • microcant ilever sensors Biosens. Bioelectron. 19 411-16 ...
  • نمایش کامل مراجع