Scattering mechanism of nonmagnetic phase on nano diluted magnetic semiconductors (DMS)
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 84
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JOPN-2-2_003
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1402
چکیده مقاله:
This paper shows the scattering mechanism at diluted magneticsemiconductors. The doped magnetic atom produces a scattering potential due to becoupled of itinerant carrier spin of host material with magnetic momentum of the dopedmagnetic atom. Formulas of scattering event were rewritten by the plane waveexpansion and then the electron mobility of DMS was calculated. Calculations showKondo effect on diluted magnetic semiconductors at nonmagnetic phase. Here has beensupposed that the doping concentration is low and so the coupling coefficient betweenmagnetic atoms is weak enough that DMS does not change its magnetic phase. In otherwords, material is on paramagnetic phase. For proofing our model, we have grownZn۰.۹۹Mn۰.۰۱O with Sol-Gel route. Pure ZnO has also grown with this method for acomparison. Experimental results proved our theoretical model. Therefore as a result, atdiluted magnetic semiconductors similar to diluted magnetic metals in nonmagneticphase can observe kondod's effect .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
mohammad Yuonesi
Department of Physics, Ayatollah Amoli Branch, Islamic Azad University, Amol, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :