اثر دمای بستر بر لایه های نازک اکسید مولیبدن تهیه شده به روش افشانه گرمایی در دیود

در این پژوهش، دیودها با لایه نشانی لایه نازک اکسید مولیبدن بر بستر سیلیکون آلایش شده نوع p با هدف بررسی اثر دمای بستر بر ویژگی دیود ساخته شدند. به این منظور، لایه های نازک اکسید مولیبدن در بسترهای با دمای ۳۵۰، ۴۰۰، ۴۵۰ و  oC ۵۰۰ به روش افشانه گرمایی لایه­نشانی شدند. ویژگی­های ساختاری و نوری لایه­های نازک بررسی گردید. آنها ماهیتی بسبلوری با ساختار راست­گوشی و قله­های پراشی مربوط به صفحه­های (۰۲۰)، (۰۴۰) و (۰۶۰) را نشان می­دهند که قله ارجح در همه نمونه­ها (۰۴۰) است. ریختار سطح نمونه­ها بدون ترک و دارای دانه­بندی مستطیل شکل با اندازه دانه­های در گستره ۱۱۰ تا ۲۱۰ نانومتر است. همچنین زبری متوسط سطح آنها در گستره ۱۵۷ تا ۱۶۷ نانومتر اندازه­گیری شد. گاف نوری نمونه­ها در گستره­ ۸۴/۲ تا eV ۹۵/۲ برآورد شد. نمودار ولتاژ – جریان نمونه­ها رفتار دیودی آنها را نشان داد. دیود ساخته شده در دمای بستر oC۴۰۰ دارای کمترین ولتاژ آستانه است.

کلیدواژه ها:

Molybdenum oxide ، thin film ، spray pyrolysis ، p-n junction diode ، اکسید مولیبدن ، لایه نازک ، افشانه گرمایی ، دیود.