بررسی تاثیر شکاف باند در ترانزیستور NPN
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 122
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICTI06_036
تاریخ نمایه سازی: 16 دی 1402
چکیده مقاله:
امروزه برای طراحی و ساخت ترانزیستورها از ساختار SOI استفاده میشود و این ساختارها در مدارهای مجتمع دارای کاربردهای بسیار زیادی می باشند خصوصیاتی که برای این مدارها بیشتر مورد توجه قرار دارد ولتاژ آستانه (Vt) ، شیب زیر آستانه (۵۵) و نسبت جریان روشن به خاموش (lon٫loff میباشد. ترانزیستورهایی که این مشخصات در آنها بصورت بهینه می باشند بیشترین کارایی را در مدارهای مجتمع دارند زیرا باعث میشود که سرعت سوئیچ زنی بالا و مصرف توان کمی داشته باشند. در این مقاله از ساختار SOI جهت طراحی یک ترانزیستور NPN استفاده شده است. با توجه به اینکه تغییرات شکاف باند تاثیر مستقیم بر عملکرد ترانزیستورها دارد لذا شکاف باند نیمه هادی را در مقادیر های e, ۱.۶ev, ev ۱.۲ تغییر داده و تاثیر شکاف باند انرژی بر روی خصویات ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه شیب زیر استانه و نسبت جریان روشن به خاموش مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختار در نرم افزار سیلواکو اطلس شبیه سازی شده است و تحلیلهای مورد نیاز محاسبه شده و سپس نتایج با یکدیگر مورد مقایسه قرار گرفته و شکاف باند انرژی که بهترین تاثیر را بر روی ترانزیستور دارد بدست آمده است.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور شکاف باند ولتاژ آستانه شیب زیر استانه نسبت جریان روشن به خاموش
نویسندگان
محمد کمالی مقدم
استادیار گروه علوم مهندسی دانشکده پردیس فناوریهای نوین دانشگاه حکیم سبزواری