تجزیه و تحلیل المان محدود پلاسمای گاز آرگون تولید شده به روش پلاسمای جفت شده القایی با توان ورودی، موقعیت سیم پیچ و ضخامت دی الکتریک متغیر
محل انتشار: دوفصلنامه اپتوالکترونیک، دوره: 6، شماره: 1
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 196
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-6-1_005
تاریخ نمایه سازی: 29 آذر 1402
چکیده مقاله:
پلاسمای جفت شده القایی چکیده (ICP) به طور گسترده در کاربردهایی مانند پردازش مواد و ساخت ادوات میکروالکترونیک استفاده می شود. با این حال، خواص الکترومغناطیسی آنها به طور کامل بررسی نشده است. بنابراین، ما شبیه سازی های المان محدود (۲ بعدی)، وابسته به زمان را در این پژوهش انجام دادیم. نمودارهای میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما را برای گاز آرگون با اعمال توان متغیر ۷۵۰ وات، ۹۵۰ وات، ۱۱۰۰ وات و ۱۲۰۰وات انجام داده ایم. در یک مطالعه مقایسه ای، اثر تغییر توان ورودی بر پارامترهای پلاسما بررسی شد و نتایج مربوطه نشان داده شد. نشان داده شد که با افزایش توان، چگالی الکترون و دما در محفظه کار افزایش می یابد. در ادامه، با توان ثابت ۱۲۰۰ وات به عنوان یک توان بهینه شده، تاثیر جابجایی موقعیت سیم پیچها و کاهش ضخامت لایه دی الکتریک بر شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دما بررسی شد و نشان دادیم که با تغییر مکان سیم پیچها، شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دمای راکتور تغییری نمی کند.اما با کاهش ضخامت لایه دی الکتریک شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما به مقدار ناچیزی کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نوشین داداش زاده
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد ارس