طراحی یک مقایسه کننده دو بیتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی

تکنولوژی نانو نقطه همگرایی علوم مختلف در آینده است بگونه ای که رفته رفته تمامی علوم سعی در استفاده از قطعاتی در سطح نانو می کنند. در این بین یکی از پراستفاده ترین علوم نانو الکترونیک می باشد. امروزهافزایش ظرفیت ذخیره دادهها، افزایش سرعت انتقال آن و کوچک کردن هر چه بیشتر وسائل الکترونیکی و به خصوص ترانزیستورها دارای اهمیت بسیاری است زیرا کوچک تر شدن ابعاد وسائل الکترونیکی علاوه بر افزایشسرعت پردازش، توان مصرفی را نیز کاهش می دهد و نانو الکترونیک می تواند در رسیدن به ابعاد هر چه کوچک تر راهگشا باشد. در این مقاله چهارطرح برای مدار مقایسه کننده دو بیتی ارایه شده است و از طرفی چون سرعت بالا اجرای عملیات، پایین بودن توان مصرفی و همچنینPDP پایین از مهمترین پارامترها در طراحی مدارات است لذا در طراحی هاسعی شده است که مدار را بگونه ای طراحی کرد کد از لحاظ پارامترهای مداری بهینه باشد : طرح 1) شامل 20 عدد ترانزیستور سیلیکونی و 3 مقاومت و 3 خازن. طرح 2) شامل 28 عدد ترانزیستور سیلیکونی و 3 خازن. طرح 3) شامل 20 عدد ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی و 3 مقاومت. طرح 4) شامل 28 عدد ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربنی.

کلیدواژه ها:

مقایسه کننده دو بیتی ، تکنولوژی نانو ، ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو لوله های کربنی