تاثیر دمای کلسینه کردن روی سازوکار میخکوبی شار مغناطیسی و انرژی فعال سازی در ابررسانای MgB۲ آلاییده به مالیک اسید

سازوکار میخکوبی شار مغناطیسی و انرژی فعال سازی در ابررسانای MgB۲ آلاییده به ۱۰% مالیک اسید با اندازه گیری چگالی جریان بحرانی و مقاومت الکتریکی به صورت تابعی از میدان مغناطیسی و دما بررسی شد. بین نواحی میخکوبی تک گردشاره و میخکوبی دسته کوچکی از گرد شاره ها، یک میدان مغناطیسی متقاطع Bsb مشاهده شد. وابستگی دمایی Bsb(T) در دماهای پایین توافق بسیار خوبی با سازوکار میخکوبی ℓδ ، میخکوبی ناشی از افت وخیز در مسیر آزاد میانگین حامل های بار، است. انرژی فعال سازی با افزایش میدان مغناطیسی کاهش می یابد و با افزایش دمای کلسینه کردن افزایش می یابد.

کلیدواژه ها:

MgB۲ آلاییده به مالیک اسید ، چگالی جریان بحرانی ، سازوکار میخکوبی ، انرژی فعال سازی