ارزیابی اثرحرارت،اغتشاش و نویز در تمام جمع کننده های مبتنی بر روشGDI

در این مقاله، توجه خود را به تمام جمع کننده های مبتنی بر روش GDI محدود می کنیم، مدارهایی که معمولا در مدارهای پرسرعت استفاده می شوند و بیشتر در معرض نویز هستند. تاکنون بررسی جامعی در مورد مصونیت در برابر نویز و تغییر دمای محیط تمام جمع کننده های مبتنی بر روش GDI ارائه نشده و اکثر مقالات طرح پیشنهادی خود را با سایر تمام جمع کننده ها مقایسه کرده اند که عمدتا مبتنی بر روش GDI نیستند. این سلول های تمام جمع کننده با شبیه سازی های مختلفی از قبیل تغییر ولتاژ تغذیه، تغییر بار خازنی، تغییر دمای محیط و تغییرات ناشی از فرآیند، ولتاژ تغذیه و دما (PVT) در فناوری ۴۵ نانومتر CMOS مورد ارزیابی قرار گرفتند. منحنی مصونیت در برابر نویز (NIC) برای سلول های تمام جمع کننده استخراج شد تا سلول های تمام جمع کننده با عملکرد بهتر مشخص شوند. بهره نویز واحد (UNG) نیز برای ارزیابی نویز بررسی شد. در نهایت مقایسه ای جامع از لحاظ تاخیر انتشار، توان مصرفی، حاصل ضرب توان-تاخیر (PDP)، سوئینگ، حساسیت در برابر تغییرات فرآیند و نویز برای تمام جمع کننده های مبتنی بر روش GDI انجام شد. نتایج به دست آمده می تواند در تصمیم گیری طراحان مدار مجتمع برای انتخاب ساختار مناسب تمام جمع کننده مبتنی بر روش GDI مفید واقع شود.

کلیدواژه های ارزیابی اثرحرارت،اغتشاش و نویز در تمام جمع کننده های مبتنی بر روشGDI:

تمام جمع کننده ، روش GDI ، منحنی مصونیت در برابر نویز (NIC) ، حاصلضرب توان-تاخیر(PDP) ، بهره نویز واحد (UNG)