تقویت کننده کم نویز با بار القایی فعالCMOS
محل انتشار: فصلنامه مهندسی مخابرات جنوب، دوره: 8، شماره: 30
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 36
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JCEJ-8-30_002
تاریخ نمایه سازی: 8 شهریور 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز CMOS گیت مشترک با بار القایی فعال ارائه شده است. برای مقادیر بزرگ اندوکتانس ، یک القاگر غیر فعال روی تراشه نیازمند مساحت قابل ملاحظه ایی از تراشه می باشد و ضریب کیفیت آن محدود می باشد. وضعیتی که می تواند به صورت غیر عملی در نظر گرفته شود. بنابراین هدف این کار جستجوی احتمال استفاده از القاگرهای فعال در مدارهای RF بعنوان جانشینی برای همتای غیرفعال آنها است. بعلاوه این القاگر فعال قابلیت برنامه ریزی دارد.امکان طراحی یک تقویت کننده با فرکانس مرکزی قابل برنامه ریزی وجود دارد. همچنین نشان داده می شود که با طراحی مناسب و بهینه سهم نویز القاگر فعال می تواند کمینه شود.شبیه سازی HSPICE با استفاده از تکنولوژی ۰.۳۵µm نشان داد که تقویت کننده ما دارای محدوده تنظیم نیم دهه برای فرکانس مرکزی ۱GHZ است.بهره ، عدد نویز و توان مصرفی شبیه سازی شده به ترتیب برابر ۲۰dB ،۳.۶۵dB ، ۱۴mw است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
بابک غلامی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون
شهریار بازیاری
برق منطقه ای هرمزگان
خشایار بازیاری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد شیراز