طراحی و شبیه سازی یک تضعیف کننده پهن باند دیجیتالی ۶ بیتی با استفاده از فناوری µm GaAs ۱۵/۰ به منظور کاربرد در رادارهای آرایه فازی

در این مقاله یک تضعیف کننده ۶ بیتی به منظور کاربرد در رادارهای آرایه فازی در فناوری µm GaAs ۱۵/۰ طراحی و شبیه سازی شده است. پهنای باند تراشه طراحی شده از GHz ۱ تا GHz ۱۲ می باشد. کوچکترین بیت این تضعیف کننده دیجیتالی dB ۵/۰ و محدوده ی دینامیکی آن dB ۵/۳۱ است. همچنین، با بزرگ در نظر گرفتن ابعاد ترانزیستورهای سری، میزان تضعیف ذاتی تا حد امکان کاهش پیدا کرده و در تمام پهنای باند بهتر از dB ۲/۵- است. نتایج شبیه سازی الکترومغناطیسی با استفاده از نرم افزار ADS نسخه ۲۰۱۵ نشان می دهد که میزان خطای موثر دامنه بهتر از dB ۴/۰ می باشد. علاوه بر این، با استفاده از سلف ، به منظور جبران سازی فرکانسی برای بیت های dB ۸ و dB ۱۶ میزان خطای موثر فاز در تمام پهنای باند کمتر از ۴/۲ درجه می باشد. ابعاد تضعیف کننده پیشنهادی ۲mm ۹/۳ است.

کلیدواژه ها:

رادار آرایه فازی ، تضعیف کننده دیجیتالی ، فناوری GaAs pHEMT ، پهن باند