اثر میدان مغناطیسی ثابت در جهت جریان سیال بر ویسکوزیته نانوسیال
محل انتشار: چهاردهمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,434
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NICEC14_615
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391
چکیده مقاله:
ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول-Fe3O 4تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال بهطور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسیویسکوزیته نانوسیال کاهش مییابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد کریمی
دانشجوی کارشناسی ارشد ، دانشگاه صنعتی اصفهان
نسرین اعتصامی
عضو هیت علمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان
محسن نصراصفهانی
عضو هیت علمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :