بررسی گذار نیمرسانا– فلز در نقطه کوانتومی

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 873

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE15_502

تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1391

چکیده مقاله:

در این مقاله گذار نیمرسانا- فلز در سیستمهای نیمرسانا با ابعاد نانو با در نظر گرفتن تقریب جرم موثر مورد بررسی قرار میگیرد. هامیلتونین سیستم باحضوریک ناخاصی بخشنده در مرکز یک نقطه کوانتمی مکعبی و همچنین در موردی که ناخالصی بطور تصادفی در داخل مکعب توزیع شده است را نوشته و با استفاده از یک تابع موج آزمایشی مناسب، انرژی حالت پایه و انرژی یونیزاسیون الکترون را برایGaAs /GaAlAs از روش عددی محاسبه مینمائیم. نتایج نشان میدهد که انرژی یونیزاسیون در هر دو مورد شدیدا به ابعاد نقطه بستگی داشته و با افزایش ابعاد کاهش مییابد.

کلیدواژه ها:

گذار نیم رسانا- فلز ، نقطه کوانتومی

نویسندگان

سارا صداقت

دانشگاه علوم و تحقیقات خوزستان، سه راه فرودگاه

محمود براتی

بخش فیزیک دانشگاه شیراز، چهارراه ادبیات

ایرج کاظمی نژاد

دانشکده فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ S emicon ductor-Metal transition in a quantum well ...
  • Shyh. Wang, "Fundamentas of Semiconductor theory and device Physics, " ...
  • John. Peter. A., Navaveeth ankrishnan _ K., ...
  • _، S emicon ductor-Metal transition in a square quantum wire ...
  • John. Peter. A., Na vaveethankri shnan _ _ ...
  • John. Peter. A., Navaveeth ankrishnan _ K., _، semicon ductor-metal ...
  • semiconductor, , .phys. Stat. sol. (b), (2000), 220, 897. ...
  • نمایش کامل مراجع