طراحی مدار تقویت کننده کم نویز با استفاده از سلف فعا ل با ضریب کیفیت بالا در تکنولوژی CMOS ۰.۱۸um
محل انتشار: ششمین کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام
سال انتشار: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 253
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICECM06_089
تاریخ نمایه سازی: 10 مرداد 1402
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی مدار تقویت کننده کم نویز با استفاده از سلف فعال در تکنولوژی CMOS ۰.۱۸um ارائه شده است. درمدار ارائه شده از سلف فعال قابل تنظیم به جای سلف پسیو استفاده شده است. در توپولوژی مدار تقویت کننده کم نویز از توپولوژی تقویت کننده کسکود سورس مشترک با فیدبک RC استفاده شده است. جهت تطبیق امپدانس ورودی و خروجی ازمدار سورس فالور استفاده شده است. مدار طراحی شده با استفاده از نرم افزار کیدنس شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده در فرکانس ۱/۵۷GHz بدین صورت می باشد. S۲۱=۲۱ dB , S۱۱=-۱۷dB, S۲۲= -۱۶ dB و NFmin=۱.۹dB. کل مصرف توان این مدار با تغذیه ۱.۸ ولت برابر ۱۳.۵ میلی وات می باشد. در این مدار با بکار بردن سلف فعال با ضریب کیفیت بالا و با دارا بودن قابلیت تنطیم سلف فعال قابلیت مدار بهتر شده وسایز نهایی IC بطور چشمگیر کاهش می یابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حجت بابایی کیا
استادیار موسسه آموزش عالی علم وفن ارومیه، ارومیه ، ایران