تحلیل رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند با ساختار ناهمگون SiGe

در این مقاله رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند (JLTFET) با ساختار نا همگون SiGeمورد تحلیل و بررسی قرار می گیرد. چگالی نویز جریان و چگالی نویز ولتاژ به ازای ساختار نا همگونسیلیسیم و ژرمانیوم به دلیل ویژگی منحصر به فرد آن در ساختار ناهمگون در ناحیه سورس و همچنینضخامت های مختلف اکسید زیر گیت (۲ و ۳ نانومتر) محاسبه میشود. افزایش هدایت انتقالی در ترانزیستورنشان دهنده افزایش تونل زنی می باشد لذا منجر به افزایش سرعت ترانزیستور می گردد.نویز غالب در ترانزیستورها در فرکانس پایین، نویز فلیکر (۱ / f) نامیده می شود و در ترانزیستور اثر میدانتونلی رفتار نویز فلیکر براساس تئوری تعداد نوسانات است. برای مطالعه نویز فرکانس پایین JLTFET ازمدل استاندارد تعداد نوسانات حامل استفاده شده است. لذا با استفاده از فرمول چگالی نویز ولتاژ و چگالینویز جریان که در رابطه با حامل های بار می باشند، نویز ترانزیستور بررسی گردیده است. به عبارت دیگر،استفاده از ماده سیلیسیم ژرمانیوم در ترانزیستورها نوین باعث بهبود عملکرد آنها در مقایسه با ترانزیستورهای سنتی میشود. این بهبود عملکرد شامل افزایش تعداد حامل های بار و کاهش نویز ولتاژ و جریان استکه در نتیجه باعث افزایش سرعت و کارایی ترانزیستور می شود.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند ، چگالی نویز