بررسی ساختار فیزیکی و الکترونیکی ترانزیستور SNWT

در این مقاله نخست به بررسی نانوسیم ها و انواع آنها پرداخته و ساختارشان را مورد بررسی قرار می دهیم. در ادامه به ساختار ترانزیستور نانوسیم سیلیکونی پرداخته و مشخصه یک ترانزیستور نانوسیم سیلیکونی را با روش مونت کارلو، مورد بررسی و ارزیابی قرار دادیم تا بتوانیم تغییرات طول کانال و اثرات آن را بر روی مشخصه ترانزیستور تحلیل کنیم. نتایجی که از شبیه سازی مونت کارلو حاصل شد؛ با افزایش نرخ پراکندگی حامل های بار، جریان ترانزیستور در هنگام افزایش طول کانال در ناحیه بالستیک یک جریان مستقل از تغییرات طول گیت خواهد بود. با افزایش ولتاژ گیت ورودی و کاهش طول گیت، جریان کانال افزایش پیدا می کند. سپس از طریق شبیه ساز NanoHUB این افزایش جریان را بررسی کرده و مشاهده شد در دو حالت شبیه سازی شده افزایش جریان کانال صادق است. بر اساس تحلیل های صورت گرفته، در ترانزیستور نانوسیم سیلیکونی با بهبود سرعت ترانزیستور در حوزه سوئیچینگ، نتایج مطلوب تری دریافت می شود.

کلیدواژه ها:

کلمات کلیدی: ترانزیستور نانوسیم سیلیکونی ، مونت کارلو ، نانوسیم سیلیکونی ، SNWT.