طراحی و شبیه سازی ظرب کننده آنالوگ CMOS در تکنولوژی 130nm، با ولتاژ و توان مصرفی پایین، در باند فرکانسی وسیع
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,385
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_294
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ضرب کننده ولتاژ آنالوگ CMOS با ساختاری جمع و جور که می تواند در فرکانس های بالا با توان کم و با پهنای خطی زیاد کار کند ارائه شده است. ضرب کننده پیشنهادی بر اساس اتصال موازی مدار ترانزیستوری MOS عمل می کند. توان مصرفی در حدود 18.6µw است. این مدار با ولتاژ تغذیه حدود 0.5V-1.8V بدرستی کار خواهد کرد که در این جا نتایج با ولتاژ تغذیه 1 ولت بدست آمده است. باند فرکانسی در حدود 4.9THZ می باشد. مدار دارای اعوجاج هارمونیک کلی (THD) حدود 2% می باشد. در طرح پیشنهادی خطای خطی بسیار کم است. مدار با استفاده از تکنولوژی 0.13µm و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. طراحی شکل ترسیمی (Layout) مدار با استفاده از شبیه ساز Tanner EDA L-EDIT انجام گرفته است. همچنین ضرف کننده پیشنهادی قابلیت عملکرد بعنوان دو برابر کننده فرکانس ویکسو ساز تمام موج را نیز دارد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن شاهسونی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
محسن معصومی
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم
مصطفی اسماعیل بیگ
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :