اصلاح سطح غشای نانوصافشی بر پایه پلی اترسولفون با گرافن اکسید کربوکسیل دارشده و پلی اتیلن ایمین
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 119
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJPST-35-5_006
تاریخ نمایه سازی: 29 فروردین 1402
چکیده مقاله:
فرضیه: در این پژوهش، ابتدا نانوصفحه های گرافن اکسید کربوکسیل دارشده سنتز شدند. سپس، از نانوصفحه های سنتزشده برای اصلاح سطحی غشاهای نانوصافشی بر پایه پلی اترسولفون در تصفیه آب استفاده شد. روش ها: از غلظت های مختلفی از نانوصفحه های گرافن اکسید کربوکسیل دارشده و پلی اتیلن ایمین به عنوان مواد اصلاح کننده سطح برای تهیه غشاهای نانوصافشی PES/PEI/c-GO استفاده شد. غشاهای تهیه شده با آزمون طیف سنجی زیرقرمز تبدیل فوریه (FTIR) و تصاویر میکروسکوپی الکترونی پویشی (SEM)، تصاویر سه بعدی سطح (AFM) از سطح غشاها و طیف سنجی پراش پرتو X (EDX) بررسی شدند. مقدار تراوش پذیری و عملکرد جداسازی غشاهای ساخته شده، با اندازه گیری زاویه تماس، جذب آب، شار آب خالص عبوری و مقدار پس زنی نمک و فلز سنگین ارزیابی شد. یافته ها آزمون FTIR تشکیل پیوندهای مطلوب را در نانوصفحه های سنتزی گرافن اکسید کربوکسیل دارشده و غشاهای ساخته شده، نشان داد. اصلاح سطح غشا با مواد اصلاح کننده آب دوست موجب کاهش زبری سطح شد و زاویه تماس از °۷۵ در غشای خالص به °۳۶ در غشای M۱ دارای ۰.۰۰۱g نانوصفحه های c-GO کاهش یافت. همچنین، جذب آب غشا افزایش یافت و غشای M۲ بیشترین مقدار درصد محتوای آب را از میان سایر غشاها نشان داد. بیشترین مقدار شار آب خالص برابر ۱۳.۰۶۵L/m۲h برای غشای ساخته شده M۲ دارای g ۰.۰۱ نانوصفحه های c-GO به دست آمد. افزون بر این، بیشترین مقدار پس زنی سدیم سولفات برابر %۶۷.۵ برای غشای M۳ دارای ۰.۱نانوصفحه های c-GO و بیشترین مقدار پس زنی کلسیم نیترات %۸۷.۲۱ برای غشای M۱ دارای g ۰.۰۰۱ نانوصفحه c-GO گزارش شد. نتایج حاکی از بهبود خواص ضدگرفتگی غشاهای اصلاح شده محتوی نانوصفحه های گرافن اکسید کربوکسیل دارشده در مقایسه با غشای پایه است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم اسکندری
اراک، دانشگاه اراک، دانشکده فنی و مهندسی، کد پستی ۸۳۴۹-۸-۳۸۱۵۶
عبدالرضا مقدسی
اراک، دانشگاه اراک، دانشکده فنی و مهندسی، کد پستی ۸۳۴۹-۸-۳۸۱۵۶
سمانه بنده علی
اراک، دانشگاه اراک، دانشکده فنی و مهندسی، کد پستی ۸۳۴۹-۸-۳۸۱۵۶