Energy levels of GaN Quantum Dots in Finite spin orbit coupling
محل انتشار: دومین کنگره بین المللی علوم و فناوری نانو
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 691
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN02_035
تاریخ نمایه سازی: 27 شهریور 1391
چکیده مقاله:
The energy levels of Nitride based III-V quantum Dots have been investigated theoretically using k.p theory. The nitride based QDs have significantly different properties compared to II-VI based QDs and also other III-V based QDs such as InP. III-V based nitride can have both zinc-blende and wurtzite crystal structures whereas GaAs and other VIII− and QDVIII−s exist only in the zinc-blende structure. In this article the hole energy levels and eigenfunctions in spherical GaN quantum dots have been calculated as function of dot radius R for zincblende structure for both zero spin orbit coupling (SOC) and finite SOC. Then on the basis of the zero SOC limit and strong SOC limit and selection rule the hole quantum energy levels are obtained. Our results shows that nitride based VIII−quantum Dots such as GaN, InN, AlN because of having the same λ,splits to the same levels and in the finite SOC, splits to , to . 1S2/12/3,SS1
نویسندگان
A Asgari
Research Institute for Applied Physics, University of Tabriz, Tabriz
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :