طراحی ساختار نوین ترانزیستور HEMT جهت کاربردهای فرکانس بالا
محل انتشار: پنجمین کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 230
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICECM05_050
تاریخ نمایه سازی: 28 بهمن 1401
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار جدیدی از تزانزیستور AlGaN/GaN HEMT ارائه گردیده است. ساختار پیشنهادی بر روی ویفر ساختار ترانزیستور HEMT معمولی پیاده سازی شده است. در این ساختار از ایجاد لایه جدید Si۳N۴ بر روی ساختار اولیه به منظور بهبود پاسخ فرکانسی و از لایه اکسید ناخالصی به منظور بهبود بهره جریان استفاده شده است. ساختار پیشنهادی دارای میزان بهره جریان ۱۴۰dB در فرکانس قطع ۸۰ GHz است که نسب به ساختار اولیه و همچنین دیگر ساختارهای ارائه شده در این زمینه بسیار بهبودیافته است. برای مقایسه بهتر دو مدل از ترانزیستور HEMT بوسیله نرم افزار Silvaco TCAD شبیه سازی و ارائه شدهاست، که یک مدل شامل ترانزیستور HEMT معمولی و دیگری شامل ترانزیستور HEMT بهبودیافته با اضافه کردن لایه ناخالصی در آن است. نتایج ارائه شده از شبیه سازی این ساختار، استفاده از آن را در مدارات با فرکانسهای بالا توجیح پذیر مینمایاند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مرجان افشار
گروه مهندسی برق،دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر ،دانشگاه فنی و حرفه ای،تهران ،ایران
ناصر افشار
شرکت تزیع برق شیراز