بررسی پایداری و خواص الکتریکی ساختار زیکزاک نانو نوار ۲ZrS

ساختار نانو نوارهای ۲ZrSe خواص ویژه ی الکتریکی و انتقالی را از خود نشان داده اند. ساختارهای آرمچیر و زیک زاک آن، در پژوهش های گذشته مورد کنکاش قرار گرفته است. اما میزان پایداری آنها در هاله ای از ابهام قرار دارد. در این پژوهش، ساختار نانو نوار زیکزاکی ۲ZrSe بر اساس اتم های انتهایی لبه Zr-Zr و Se-Zr و eS-Se بررسی شده است. نشان دادیم که برخلاف اعلام پژوهش های قبلی، ساختار زیکزاک در لبه های Zr-Zr ، Zr-Se و Se-Se دارای باند فونونی موهومی بوده و پایداری نیستند. برای پایدار ساختن این ساختار، از اثر hBN بر روی نانو نوار زیکزاک بهره برده شد. نشان دادیم hBN به اعمال ۲ % تنش بر ساختار اتمی نانو نوار موجب پایداری این ساختار می گردد. این تنش موجب تغییر گاف انرژی از eV ۶ / ۰ به eV ۷ / ۰ شده و طول باندهای پیوندی را تغییر می دهد. با توجه به این نتایج می توان ساختار نانو نوار زیکزاک ۲ZrSe با لبه Se-Se را بر روی hBN پایدار کرد و از آن به عنوان کاندیدی مناسب ساختارهای الکترونیکی بهره برد.

کلیدواژه ها:

پایداری ، زیکزاک ، ساختار باند فونونی ، نانو نوار ، یک بعدی