تاثیر پتانسیل بر عیوب نقطه ای تشکیل شده در لایه رویین فولاد زنگ نزن AISI 316 L

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,315

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IMES04_008

تاریخ نمایه سازی: 22 مرداد 1391

چکیده مقاله:

آزمون موت-شاتکی یکی از روش های تعیین نوع -n و یا نوع -p بودن رفتار نیمه هادی لایه رویین و بررسی عیوب موجود در آن است. در این تحقیق ، تاثیر پتانسیل بر عیوب نقطه ای تشکیل شده در لایه رویین فولاد زنگ نزن L 316 در محلو 0/05 مولار اسید سولفوریک برررسی شد. برای تشکیل لایه رویین در بازده پتانسیلی 0/2- تا 0/8VSCE ، فاصله ها 0/1V انتخاب و نمونه ها در پتانسیل های تشکیل مربوطه به مدت 60 دقیقه نگه داری شدند. نتایج آزمون موت- شاتکی نشان داد که رفتار نیمه هادی لایه رویین تشکیل شده تا پتانسیل 0/6VSCE ، به علت چگالی بیش تر دهنده های الکترونی (ND) نسبت به گیرنده های الکترونی (NA) ، نوع -n میباشد . در حالی که در پتانسیل های بالاتر ، به علت افزایش انحلال کاتیون های آهن و کروم که منتج به افزایش چگالی جاهای خلی کاتیونی می شود و همچنین کاهش غلظت بین نشین های کاتیونی ، رفتار نیمه هادی لایه رویین به نوع -p تبدیل شد. همچنین نتایج آزمون موت- شاتکی نشان داد که با افزایش پتانسیل لایه رویین تا 0/6VSCE ، مقادیر چگالی دهنده های الکترونی به طور توانی کاهش می یابد.

نویسندگان

آرش فتاح الحسینی

استادیار ، دانشگاه بوعلی سینا همدان

احمد ساعتچی

استاد ، دانشگاه صنعتی اصفهان

محمد علی گلعذار

استاد ، دانشگاه صنعتی اصفهان

کیوان رئیسی

دانشیار ، دانشگاه صنعتی اصفهان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • D.D. Macdonald, :Passive films: nature's exquisitely nano- engineered protection system", ...
  • M. Kamrunnahar, J. Bao and D.D. Macdonald, "Challenges in the ...
  • growth of passive Anodic؛ه 3- M. Sanchez, J. Gregori, M.C. ...
  • A. Fattah-alhos seini, A. Saatchi, M.A. Golozar and K. Raeissi, ...
  • A. Fattah-alhos seini, A. Saatchi, M.A. Golozar and K. Raeissi, ...
  • S. Ningshen, U.K. Mudali, G. Amarendra, P. Gopalan, R.K. Dayal ...
  • S.J. Ahn and H.S Kwon, "Effects of solution temperature on ...
  • K. Kareh, A. Ghahre maninezhad and E. Asselin, ، FElectro ...
  • Y. Tang, X. Zhao, J. Mao and Y. Zuo, : ...
  • H.Y. Ha, H.J. Jang, H.S. Kwon and S. Kim, "Effects ...
  • K.S. Raja and D.A. Jones, :Effects of dissolved oxygen on ...
  • N.E. Hakiki, M.F. Montemor, M.G.S. Ferreira and M. da Cunha ...
  • V. Vignal, R. Oltra, M. Verneau and L. Coudreuse, "Influence ...
  • D.D. Macdonald, :On the tenuous nature of passivity and its ...
  • M. Bojinov, G. Fabricius, T. Laitinen, K. Makela, T. Saario ...
  • A. Fattah- alhosseini, M.A. Golozar, A. Saatchi and K. Raeissi, ...
  • نمایش کامل مراجع