تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در محفظه مثلثی دار شیب

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه مثلثی شیبدار به روش عددی بررسی شده است. نانوسیال استفاده شده آب و مس است . دیوار مورب محفظه در دمای سرد و سایر دیواره ها عایق می باشند و یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه است شده. محفظه تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت می باشد که عمود بر ضلع محفظه اعمال می گردد. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می شود. محفظه ۳۶۰ درجه به طور کامل چرخانده شده و تاثیر میدان مغناطیسی در هریک از این حالات مورد بحث قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که افزایش عدد هارتمن باعث کاهش سرعت جریان داخل محفظه شده و انتقال حرارت را کاهش می دهد. از طرفی افزایش زاویه شیب محفظه تا ۹۰ درجه باعث افزایش انتقال حرارت، از ۹۰تا ۱۸۰ باعث کاهش و پس از آن از ۱۸۰ به بعد افزایش انتقال حرارت را به همراه دارد.

کلیدواژه ها:

محفظه شیب دار ، نانوسیال ، میدان مغناطیسی ، محفظه مثلثی