Applying a novel multilayered Nano-crystalline Silicon structure in fabrication of silicon-based light emitting diodes
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,138
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_461
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
A low-temperature hydrogenation-assisted sequential deposition and crystallization technique is reported for the preparation of nano-scale silicon quantum dots suitable for light-emitting applications. The preparation of layers of quantum dots was by RF plasma-enhanced deposition and insitu treatment of an amorphous silicon film followed by reactive-ion etching to create the nanoscale features. The physical characteristics of the films prepared at different plasma conditions were investigated by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, atomic force microscopy and photoluminescence analysis. The formation of multilayered structures improved the photon-emission properties as observed by photoluminescence while a thin layer of silicon-oxy-nitride was used for electrical isolation between adjacent silicon layers. The preparation of light-emitting diodes directly on glass substrates has been also demonstrated
کلیدواژه ها:
نویسندگان
S Darbari
Thin Film and Nano-Electronic Laboratory, Faculty of Electrical and Computer Engineering
M Shahmohammadi
Thin Film and Nano-Electronic Laboratory, Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :