ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

Applying a novel multilayered Nano-crystalline Silicon structure in fabrication of silicon-based light emitting diodes

تعداد صفحات: 6 | تعداد نمایش خلاصه: 917 | نظرات: 0
سال انتشار: 1390
کد COI مقاله: ICEE19_461
زبان مقاله: انگلیسی
(فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.

با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید.در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.

لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.

برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 6 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : 0 تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله Applying a novel multilayered Nano-crystalline Silicon structure in fabrication of silicon-based light emitting diodes

S Darbari - Thin Film and Nano-Electronic Laboratory, Faculty of Electrical and Computer Engineering
M Shahmohammadi - Thin Film and Nano-Electronic Laboratory, Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran
S. Mohajerzadeh

چکیده مقاله:

A low-temperature hydrogenation-assisted sequential deposition and crystallization technique is reported for the preparation of nano-scale silicon quantum dots suitable for light-emitting applications. The preparation of layers of quantum dots was by RF plasma-enhanced deposition and insitu treatment of an amorphous silicon film followed by reactive-ion etching to create the nanoscale features. The physical characteristics of the films prepared at different plasma conditions were investigated by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, atomic force microscopy and photoluminescence analysis. The formation of multilayered structures improved the photon-emission properties as observed by photoluminescence while a thin layer of silicon-oxy-nitride was used for electrical isolation between adjacent silicon layers. The preparation of light-emitting diodes directly on glass substrates has been also demonstrated

کلیدواژه ها:

Light-emitting diode, luminescence, multilayer structure, nano-crystalline silicon

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/154034/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Darbari, S و Shahmohammadi, M و Mohajerzadeh, S.,1390,Applying a novel multilayered Nano-crystalline Silicon structure in fabrication of silicon-based light emitting diodes,نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران,تهران,,,https://civilica.com/doc/154034

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1390, Darbari, S؛ M Shahmohammadi و S. Mohajerzadeh)
برای بار دوم به بعد: (1390, Darbari؛ Shahmohammadi و Mohajerzadeh)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • Atmospheric impregnation of porous silicon at FOOm temperature. J. Appl. ...
  • Photoluminese ence spectra from porous silicon (111) microstructures _ and ...
  • model of the formation mechanism of p-type porous silicon. Appl. ...
  • Hybertsen M. S.; Fall Mat. Res. Soc. Symp. AA 1991 ...
  • Mochizuki Y; Mizuta M. Role of dangling bond centers on ...
  • Optical studies of the structure of porous silicon films formed ...
  • Brandt M. S.; Fuchs H. D. Stutzmann M.; Weber J.; ...
  • Tsai C.; Li K.H.; Kinosky D.S.; Qian R.Z.; Hsu T.C.; ...
  • _ _ _ Y.; Koshida N. [38] _ _ _ ...
  • _ of Germanium and Silicon. Bell Syst. ...
  • Propst E. _ Rieger M. M.; Vogt K. W.; Kohl ...
  • _ _ _ n- [40] _ _ in Hydrofluoric Act ...
  • _ _ _ R.; Wang X. Pulsed anodic etching: An ...
  • elec troluminescence from porous silicon np heterojunction diodes. [2] _ ...
  • Chen Z.; Bosman G. Visible light emission from heavily doped ...
  • Steiner P.; Kozlowski F.; Lang W. Light emitting porous silicon ...
  • Lazarouk S.; Jaguiro P.; Katsouba S.; Masini G.; La Monica ...
  • Hlinomaz P.; Klima O.; Hospodkova A.; Hulicius E.: Oswald J.; ...
  • _ _ _ surface-emitting cold cathode based on porous polycrystalline ...
  • Nakajima T.; Kojima A.; Koshida N. Generation of ballistic electrons ...
  • _ _ _ ultrasonic emission from porous silicon. Nature (London ...
  • Ueno K.; Koshida N. Light-emissive nonvolatile memory effects in [12] ...
  • luminescence from porous silicon light emitting devices. Appl. Phys. Lett. ...
  • Mazzoleni C.; Pavesi L. Controlled photon emission in porous silicon ...
  • _ _ _ waveguide fabricated by oxidization of selectively doped ...
  • Zheng W. H.; Reece P.; Sun B. Q.; Gal M. ...
  • Benjamin J. D.; Keen J. M.; Cullis A. G.; Innes ...
  • a buried layer of oxidised porous silicon. Appl. Phys. Lett. ...
  • [_ _ _ _ _ _ _ P. 103111, 2006. ...
  • Jamei M.; Karbassian F.; Mohajerzadeh S.; Abdi Y.; Robertson M.D.; ...
  • _ _ _ 1997, 55, 6988. ...
  • _ _ _ Semicond. Sci. Technol 2006, 21, 1527. ...
  • Mudryi A. V.; Korshunov F P.; Patuk A. I.; Sharkin ...
  • An Z.; Fu R. K. _ Li W.; Chen P.; ...
  • _ _ J. Appl. _ _ _ S.; Semicond. 2009, ...
  • crystalline Si/ SiO2 structures embedded in pn junctions. Super lattices ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی