ارائه ساختاری نوین از فوتودیود شکست بهمنی InGaAs / Si SACM photodiode avalanche جهت آشکار سازی در طول موج تابشی ۱۵۵۰ نانومتر
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 214
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ELEMAG-10-1_004
تاریخ نمایه سازی: 24 مهر 1401
چکیده مقاله:
در این مقاله یک آشکارساز مبتنی بر پدیده شکست بهمنی (SACM APD InGaAs/Si) برای آشکار ساز نور در طول موج ۱۵۵۰ نانومتر ارائه گردیده است. این آشکارساز با ساختاری ساده، از حیث لایه ها تعریف و کمیت های اصلی آشکار سازی آن همانند جریان تاریک، جریان تابش، بهره و پاسخ دهی، بهینه شده است. وجه برتری و تمایز این آشکار ساز این است که ولتاژ بایاس آن کمتر از مدلهای موجود در مراجع معرفی شده می باشد و کمیت های آشکار سازی آن نیز، قابل رقابت با آنها می باشد. این ولتاژ بایاس حداقل ۴۱ % از دیگر مراجع تطبیقی در شرایط مشابه کمتر است. در شاخص(۰.۹Vbr) ، جریان تابش Aμ ۸.۳ و جریان تاریک ۴.۹nA حاصل گشته است. در ولتاژ بایاس ۲۵ ولت جریان تابش Aμ ۵۱ و جریان تاریک ۲۱ نسبت به فوتودیود مشابه افزایش مییابد. از این آشکار ساز برای کاربری های خاصی که نیاز به جریان تاریک بسیار پایین دارند نیز، می توان بهره برداری نمود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهدی اسکندری
کارشناسی ارشد، دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت، تهران، ایران
محمد عظیم کرمی
دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم وصنعت، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :