شبیه سازی عددی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم GaAsبه روش مونت کارلو
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,078
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_185
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله روابط بسته ای برای پراکندگی فونونهای نوری غیرقطبی بین دره ای و فونونهای نوری قطبی در ساختار یک بعدی نانوسیم GaAs/AlGaAs ارائه کرده ایم. روابط بسته ما را از محاسبات زمان برحل عددی انتگرالهای پیچیده در روابط پراکندگی نانوسیمها بی نیاز میکند با استفاده از روابط پراکندگی فونونهای صوتی و فونونهای نوری غیرقطبی بین دره ای و درون دره ای و فونونهای نوری قطبی به شبیه سازی وبررسی مشخصه های ترانزیستور نانوسیمی به روش مونت کارلو پرداخته ایم. در این شبیه سازی، دو دره L و Γ هر کدام با 9 تراز انرژی در نظر گرفته ایم. توابع موج و ترازهای انرژی نانوسیم را از ترکیب چاه پتانسیل مثلثی و چاه پتانسیل مربعی بینهایت بدست آوردهایم. اثر تغییرات دما،ولتاژها و طول کانال را بر روی مشخصه های ترانزیستور نانوسیم نیز مورد بررسی قرار دادهایم
کلیدواژه ها:
نانوسیم ، ترانزیستور اثرمیدانی ، مونت کارلو ، پراکندگی حاملها ، فونونهای صوتی ، فونونهای نوری غیر قطبی ، فونونهای نوری قطبی
نویسندگان
محمد پرتوی نژاد
دانشگاه شاهد
کامیار ثقفی
گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شاهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :