A Novel Design and Simulation of InGaP/GaAs ARCSolar Cell with ۴۳.۶% efficiency under AM۱.۵GStandard Spectrum
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 141
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SETBCONF02_009
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1401
چکیده مقاله:
In this paper, an InGaP/GaAs double-junction solar cell based on the back-surface field (BSF) layer is selected, and adding an intrinsic material to the tunnel junction is proposed. Effective BSF is an important element for efficiency in a double-junction solar cell structure. Important parameters of open-circuit voltage (VOC), short-circuit current density (JSC), fill factor (FF) and efficiency (η) in the proposed solar cell model are calculated VOC=۲.۷V, JSC=۱۸۹۴.۶mA/cm۲, FF=۸۷.۵% and η=۴۳,۶%, respectively. The simulations are obtained at solar intensities (۱,۰۰۰ suns) under the AM۱.۵G standard spectrum.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Rajeh Harbi Khedir
Department of Electrical Engineering,Imam Reza InternationalUniversity,Mashhad, Iran
Saeed khosroabadi
Department of Electrical Engineering,Imam Reza InternationalUniversity,Mashhad, Iran.