تحلیل رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند با ساختار ناهمگون SiGe

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 185

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICECM04_054

تاریخ نمایه سازی: 6 شهریور 1401

چکیده مقاله:

در این مقاله رفتار نویز در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند (JLTFET) با ساختار ناهمگون SiGe مورد تحلیل و بررسی قرار می گیرد. چگالی نویز جریان و چگالی نویز ولتاژ به ازای ساختار ناهمگون سیلیسیم و ژرمانیوم به دلیل ویژگی منحصر به فرد آن در ساختار ناهمگون در ناحیه سورس و همچنین ضخامت های مختلف اکسید زیر گیت ( و ۲ و ۳ نانومتر ) محاسبه می شود. افزایش هدایت انتقالی در ترانزیستور نشان دهنده افزایش تئنل زنی می باشد لذا منجر به افزایش سرعت ترانزیستور می گردد. نویز غالب در ترانزیستورها در فرکانس پایین، نویز فلیکر (f/۱) نامیده می شود و در ترانزیستور اثر میدان تونلی رفتار نویز فیلکر براساس تئوری تعداد نوسانات است. برای مطالعه نویز فرکانس پایین JLTFET از مدل استاندارد تعداد نوسانات حامل استفاده شده است. لذا با استفاده از فرمول چگالی نویز ولتاژ و چگالی نویز جریان که در رابطه با حامل های بار می باشند، نویز ترانزیستور بررسی گردیده است. از طرفی نتایج شبیه سازی نشان می دهد که استفاده از ماده SiGe منجر به افزایش تعداد حامل های بار و کاهش چگالی نویز ولتاژ و چگالی نویز جریان در این ترانزیستور می شود.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند ، چگالی نویز

نویسندگان

حدیثه حسینی منش

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، پزشکی و مکاترونیک، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران