اثر پراکندگی فونون اکسید سطحی بر محدودیت تحریک پذیری حامل در ترانزیستورهای گرافن

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 263

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ARBS01_211

تاریخ نمایه سازی: 27 تیر 1401

چکیده مقاله:

پر اکندگی فونون SO برای ترانزیستورهای اثر میدانی گرافن (GFETs) انتظارمی رود مهم باشد. بنایر این بافتن اکسید های مناسب و درک میزان این اثرحیاتی است. در این مقاله، تاثیر پر اکندگی فونون SO را در ترابرد GFET هامطالعه شده است. فیلم های (HFO(۲ با موفقیت روی گرافن رسوب می کنند و GFET هایدوگانه (HfO(۲), SiO(۲ با کیفیت بالا به دست می آیند. در بایاس کم سورس-درین،سهم مقاومت و محد ودیت تحرک پذیری ناشی از فونون های SO از (SiO(۲ و (HfO(۲ بهترتیب استخراج می شود. در بایاس بالا سورس-درین، با مقایسه آزمایش ها ومحاسبات نظری، اثر پر اکندگی فونون SO در جریان اشباع و اتلاف حرارت موردمطالعه قرار گرفته است. پر اکندگی فونون SO در GFET های پشتیبانی شده برروی بسترهای مختلف محاسبه شده است، به ویژه ، آن را در GFET های دریچهپایین با (SiO(۲ اند ازه گیری شده است. ثابت دی الکتریک k این مواد کم استوبرعی از آنها تحرک پذیری گرافن را کاهش می دهند . بسیار مهم است که دی-الکتریک با میزان k بالا پیدا شود که بتواند روی گرافن رشد کند و بتواندتحرک پذیری بالای گر افن را حفظ کند. علاوه بر این تاکنون اثر اکسید ها برترابرد در ساختارهای دو اکسیدی مورد مطالعه قرار نگرفته است. در اینبخش، اثرات پراکندگی فونون SO بر تحرک پذیری الکترون در ساختارهای دواکسید (HFO(۲ گر افن/ (SiO(۲، و به طور کمی سهم های متمایز استخراج از هر دواکسید نشان داده می شود .

نویسندگان

فاطمه رضایی

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران

علیرضا حکیمی فرد

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران

حمزه معیری

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران