فاطمه رضایی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران
علیرضا حکیمی فرد - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران
حمزه معیری - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، دزفول، ایران

پر اکندگی فونون SO برای ترانزیستورهای اثر میدانی گرافن (GFETs) انتظارمی رود مهم باشد. بنایر این بافتن اکسید های مناسب و درک میزان این اثرحیاتی است. در این مقاله، تاثیر پر اکندگی فونون SO را در ترابرد GFET هامطالعه شده است. فیلم های (HFO(۲ با موفقیت روی گرافن رسوب می کنند و GFET هایدوگانه (HfO(۲), SiO(۲ با کیفیت بالا به دست می آیند. در بایاس کم سورس-درین،سهم مقاومت و محد ودیت تحرک پذیری ناشی از فونون های SO از (SiO(۲ و (HfO(۲ بهترتیب استخراج می شود. در بایاس بالا سورس-درین، با مقایسه آزمایش ها ومحاسبات نظری، اثر پر اکندگی فونون SO در جریان اشباع و اتلاف حرارت موردمطالعه قرار گرفته است. پر اکندگی فونون SO در GFET های پشتیبانی شده برروی بسترهای مختلف محاسبه شده است، به ویژه ، آن را در GFET های دریچهپایین با (SiO(۲ اند ازه گیری شده است. ثابت دی الکتریک k این مواد کم استوبرعی از آنها تحرک پذیری گرافن را کاهش می دهند . بسیار مهم است که دی-الکتریک با میزان k بالا پیدا شود که بتواند روی گرافن رشد کند و بتواندتحرک پذیری بالای گر افن را حفظ کند. علاوه بر این تاکنون اثر اکسید ها برترابرد در ساختارهای دو اکسیدی مورد مطالعه قرار نگرفته است. در اینبخش، اثرات پراکندگی فونون SO بر تحرک پذیری الکترون در ساختارهای دواکسید (HFO(۲ گر افن/ (SiO(۲، و به طور کمی سهم های متمایز استخراج از هر دواکسید نشان داده می شود .

تحرک پذیری، موببلیتی، پر اکندگی فونون، گر افن، ترانزیستور، ترانزیستور جی فت، ترا زیستور اثر میدانی، ترابرد