ساختار بس لایه ای مکملی شامل مواد دی الکتریک مرسوم

محیط مکملی، محیطی که دارای گذردهی الکتریکی و نفوذپذیری مغناطیسی با اندازه دقیقا یکسان ولی با علامت مخالف نسبت بهمحیط کناری خود است و میتواند اثرات اپتیکی محیط مدنظر را از بین ببرد. در این مقاله، یک ساختار بس لایه ای شامل مواد دی الکتریکمرسوم در نظر گرفته شده است. با استفاده از نظریه ی محیط موثر ساختار مهندسی شده برای کمیت های گذردهی الکتریکی و نفوذپذیریمغناطیسی در یک ضخامت های معین مقادیر نزدیک به صفر را نشان می دهد. نتایج به دست آمده از روش ماتریس انتقال نشان میدهد،محیط مورد بررسی تاثیر یک محیط تهی را ایفا می کند.

کلیدواژه ها:

محیط مکملی ، گذردهی الکتریکی ، نفوذپذیری مغناطیسی ، محیط موثر ، چندلایه ی دی الکتریک متقارن