ایجاد پوشش های لایه نازک از جنس آلیاژهای آنتروپی بالا FeNiCuCoMn به روش لیزرپالسی PLD

آلیاژهای آنتروپی بالا (( HEAs ) High Entropy alloys ) به عنوان آلیاژهای محلول جامد شامل حداقل ۴ عنصر اصلی با نسبت اتمی مساوی هستند که معمولا در این آلیاژها عناصر تشکیل دهنده، بین ۵ تا ۳۵ درصد اتمی آلیاژ را به خود اختصاص می دهند. در این پژوهش از روش رسوب لیزر پالسی ( PLD ) به عنوان یک روش گسترده برای رشد فیلم های لایه نازک به منظور ایجاد پوشش هایی از جنس آلیاژ آنتروپی بالا از نوع FeNiCuCoMn استفاده شده است. دمای لایه نشانی به عنوان متغیره مهم این فرآیند شناخته شده و تاثیر آن بر ریزساختار پوشش های ایجاد شده بر زیرلایه سیلیکونی مورد بررسی قرار گرفته است. تصاویر میکروسکوپ الکترونی نشان دهنده وقوع تحولات ریزساختاری در دمای پوشش دهی ۵۰۰ تا ºC ۹۰۰ می باشد. لایه های ایجاد شده در دمای اتاق دارای ساختار آمورف می باشند و با افزایش دما تا ۳۰۰ درجه ساختار آمورف به ساختار نانوشیشه ای تبدیل می باشد و با افزایش دما از ۵۰۰ تا ۹۰۰ درجه ساختار بلوری می شود . نتایج پراش اشعه ایکس حاکی از تشکیل محلول جامد با ساختار مکعبی وجوه مرکزدار ( FCC ) در لایه های رسوب داده شده در دماهای بالاتر از ۷۰۰ درجه می باشد.

کلیدواژه ها:

آنتروپی بالا ، لایه نازک ، لیزرپالسی ، ریزساختار