بررسی تاثیر دما و زمان تف جوشی بر خواص مغناطیسی هگزافریت استرانسیوم آلاییده شده با ۲ + Ca

به منظور بررسی تاثیر زمان و دمای تف جوشی بر خواص مغناطیسی هگزافریت استرانسیوم آلاییده شده با یون کلسیم، هگزافریت استرانسیوم آلاییده شده با کلسیم به روش معمول سرامیکی تهیه شد. در مرحله بعد نمونه های تهیه شده بعد از کلسیناسیون (در دمای ۱۱۵۰ درجه سانتیگراد به مدت ۱ ساعت) و عملیات آسیاب کاری به شکل قرص پرس شده و در دما و زمان های مختلف تحت عملیات تفجوشی قرار گرفتند. به منظور بررسی اختارکریستالی از پراش پرتو ایکس ( XRD ) و همچنین جهت اندازه گیری خواص مغناطیسی ( rB ، cjH ) از دستگاه پرمیامتر استفاده شد. نتایج پژوهش نشان داد با افزایش دمای تف جوشی از ۱۱۰۰ تا ۱۳۰۰ درجه سانتیگراد در مدت زمان ثابت ۲ ساعت، پسماند مغناطیسی ( rB) از kG ۸۶ / ۱ به kG ۹۹ / ۳ افزایش و سپس کاهش یافت. همچنین میدان پسماندزدایی ( cjH) از kOe ۷۳ / ۱ به kOe۹۶ / ۲ افزایش نشان داد. از طرفی با افزایش زمان تف جوشی از ۱ ساعت به ۲ ساعت در دمای ثابت ۱۲۵۰ درجه سانتیگراد، پسماند مغناطیسی از kG ۴۵ / ۲ به kG ۵۵ / ۳ افزایش و میدان پسماند زدایی نیز از kOe ۶۸ / ۲ به kOe ۰۷ / ۳ افزایش داشت. همچنین مقادیر بیشینه حاصلضرب انرژی ( maxBH ) تیز با افزایش دما و زمان تفجوشی در مجموع با بهبود همراه بود.

کلیدواژه ها:

هگزافریت استرانسیوم ، تفجوشی ، خواص مغناطیسی ، پسماند مغناطیسی ، میدان پسماندزدایی